紫外线（UV）曝光设备的应用

 如前所述，紫外线 (UV) 曝光设备用于照射光线，将电路图案印刷到晶圆上。

这种曝光使得半导体制造的后续步骤成为可能，例如使用显影剂去除不需要的光刻胶部分的“现象”，以及沿着光刻胶形成的图案刮掉氧化膜和薄膜的“蚀刻”。移动。

此外，在曝光时，为了在印刷电路时实现精细的电路图案，使用短波长很重要。
其原因是一种称为衍射的光现象。

在曝光期间，当UV光透过掩模照射时，掩模图案被转移到抗蚀剂上。因此，似乎可以通过缩小掩模的宽度来实现更精细的尺寸，但由于紫外光也是光，因此会发生衍射。
当发生这种衍射时，暴露出比掩模宽度更宽的区域，使得简单的小型化变得困难。

短波长UV光由于其波长短而引起较少的衍射，因此可以减少图案形成过程中衍射的影响。

光源日新月异，但在 20 世纪 80 年代初和 90 年代，使用的是水银灯。随着小型化的进展，波长变得更短并改进，从G线（436nm）到I线（365nm）到KrF（248nm）再到ArF（193nm）。并于2018年底，采用EUV（13.5nm）量产。